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IGBT-Hochvoltheizer klimatisiert E-Autos und konditioniert Batterien
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IGBT: Wie funktioniert ein Insulated Gate Bipolar Transistor?
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Copack IGBT and diode in ISO247 package - Electronic Products
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Rohm bietet Hybrid-IGBTs mit integrierter SiC-Diode
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China Low Price DF30AA160 Three-phase Rectifier Bridge IGBT DIODE Module - Quotation - GNS COMPONENTS
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Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) und Diodenmodule mit SPT, SPT+, SPT++ und TSPT+ Chips | Hitachi Energy
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MID145-12A3 Littelfuse IGBT Dioden-Module, Y3-DCB-/Y4-M5-Gehäuse - elpro Elektronik
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IRGB4062DPBF GB4062D ZU 220 IGBT diode 600V 48A 100% neue und original|Steckverbinder| - AliExpress
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ROHM bietet neue Hybrid-IGBTs mit integrierter SiC-Diode | ROHM Semiconductor - ROHM Co., Ltd.
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a) Insulated-gate bipolar transistor (IGBT) and anti-parallel... | Download Scientific Diagram
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Electronics | Free Full-Text | Measurements and Computations of Internal Temperatures of the IGBT and the Diode Situated in the Common Case
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110 V ~ 2600V Tragbare IGBT Spannung Fähigkeit Tester Diode MOS Triode LED Zurück licht Spannung Fähigkeit Prüfung werkzeug| | - AliExpress
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6.500-V-IGBT-Module - Infineon Technologies | Mouser
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IGBT-Treiber: 5 Eigenschaften, die sie nicht haben sollten
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ON Semiconductor Announces New SiC-based Hybrid IGBT and Gate Drivers Series Ahead of PCIM 2019 - News
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Infineon IHW30N135R3FKSA1 THT N-Kanal IGBT, 1350 V / 30 A, 3-Pin TO-247 | RS
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IGBT freewheeling diodes – Danfoss Editron
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Figure 1 from Plasma dynamic of RC-IGBT during desaturation pulses | Semantic Scholar
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IRG4BC30WPBF | Infineon IGBT / 23 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-220AB N-Kanal | RS
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IGBT: Wie funktioniert ein Insulated Gate Bipolar Transistor?
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Design von robusten Transistorschaltungen mit IGBTs und SiC-MOSFETs | RECOM
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Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode - Infineon Technologies
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NTE3322 NTE Electronics - Transistor: IGBT | 900V; 60A; 170W; TO3P | TME - Elektronik Bauteile
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Figure 3 from Interaction between IGBT, diode and parasitic inductances during short-circuit type 3 | Semantic Scholar
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Figure 4 from Interaction between IGBT, diode and parasitic inductances during short-circuit type 3 | Semantic Scholar
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Diskreter 1200-V-IGBT mit Diode auf 300-mm-Wafer
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